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IRFR420BTM-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFR420BTM-VB商品编号
C5456566商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
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