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IRFR15N20DTRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFR15N20DTRPBF-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:30A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFR15N20DTRPBF-VB
商品编号
C5456563
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

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