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FH1504G6
1个N沟道 耐压:40V 电流:48A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。适用于负载开关、PWM应用、电源管理和通用应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1504G6
- 商品编号
- C5453908
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.835nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产零件批准程序（PPAP）支持，适用于以下场景： 直流 - 直流转换器 电源管理功能
- 模拟开关
商品特性
- VDS = 40 V;ID = 48 A
- RDS(ON)(典型值)= 4.8 mΩ(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON)(典型值)= 6.8 mΩ(@ VGS = 4.5 V)
- 稳定性和一致性良好
- 经过100%雪崩测试
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-模拟开关