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FH18P04G
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH18P04G
- 商品编号
- C5453907
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.638nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |