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FGAF40S65AQ
IGBT，650V，40A，场截止沟槽
- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 4 代 RC IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为消费和工业应用的 PFC 转换器提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGAF40S65AQ
- 商品编号
- C605137
- 商品封装
- TO-3PF-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.59nF | |
| 输出电容(Coes) | 35pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 10pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17.8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 81.6ns | |
| 导通损耗(Eon) | 132uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 62uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 274ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |