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FGH40T65SQD-F155
650V 80A
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- 描述
- 采用新型场截止 IGBT 技术，安森美半导体（ON Semiconductor）的新一代场截止第四代 IGBT 系列，为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机、电信、储能系统（ESS）和功率因数校正（PFC）等应用提供了最佳性能，这些应用对低导通和开关损耗有严格要求。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH40T65SQD-F155
- 商品编号
- C605142
- 商品封装
- TO-247-3LD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 输出电容(Coes) | 60pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 2.62nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 80ns | |
| 导通损耗(Eon) | 138uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 52uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31.8ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 9pF |
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