- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGHL50T65SQ
用于PFC应用的IGBT，具有正温度系数、高电流能力、低饱和电压、高输入阻抗、快速开关和参数分布紧凑等特点
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- 描述
- 采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术。FGHL50T65SQ 是单 IGBT。此 IGBT 在各种应用中以低导通损耗和开关损耗提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGHL50T65SQ
- 商品编号
- C605145
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.209nF | |
| 输出电容(Coes) | 42pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 93ns | |
| 导通损耗(Eon) | 410uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 88uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |