- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGY100T65SCDT
场截止沟槽IGBT，适用于太阳能、UPS、电机控制、ESS和HVAC应用，具备低导通和开关损耗特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能、UPS、电信、ESS 和 HVAC 应用等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGY100T65SCDT
- 商品编号
- C605149
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.31nF | |
| 输出电容(Coes) | 384pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 46pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 216ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 62ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |