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NVTR0202PLT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:400mA
- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。小信号 MOSFET，-20V，-400mA，800mΩ，单 P 沟道，SOT-23，逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTR0202PLT1G
- 商品编号
- C604655
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.18nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- NVTFS5C658NLWF - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准