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NVTJD4001NT1G
2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 30V，250mA，1.5Ω，双 N 沟道，SC?88，逻辑电平通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTJD4001NT1G
- 商品编号
- C604654
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.0V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 占位面积小，比TSOP - 6小30%
- 栅极具备ESD保护
- 通过AEC Q101认证 - NVTJD4001N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 低端负载开关
- 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理、数码相机
- 降压转换器
- 电平转换