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APG068N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：40V, 50A。 RDS(ON) < 6.8mΩ @VGS = 10V (典型值: 5.7mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 7.5mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG068N04G
- 商品编号
- C5443651
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V；8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 40V、54A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.8 mΩ（典型值：5.7 mΩ）
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 11 mΩ（典型值：8.5 mΩ）
- 分裂栅沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理