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AP3139
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 特性：20V, -0.66A RDS(ON) < 520mΩ @ VGS = -4.5V TYP: 430mΩ。 RDS(ON) < 700mΩ @ VGS = -2.5V TYP: 624mΩ。 RDS(ON) < 1200mΩ @ VGS = -1.8V TYP: 950mΩ。 先进沟槽技术。 无铅产品。 ESD防护高达2.0KV(HBM)。应用：接口。 开关负载
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP3139
- 商品编号
- C5443659
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@4.5V；950mΩ@1.8V；624mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- -20V,-0.66A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 520 mΩ,典型值:430 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 700 mΩ,典型值:624 mΩ
- 当VGS = -1.8V时,RDS(ON) < 1200 mΩ,典型值:950 mΩ
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 静电放电(ESD)防护能力高达2.0KV(人体模型)
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 逻辑电平转换