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AP85P04G
1个P沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 特性：40V。 -85A，RDS (ON) <5.3mΩ @VGS=-10V，典型值4.3mΩ；RDS (ON) <7.6mΩ @VGS=-4.5V，典型值5.9mΩ。 先进的沟槽技术。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP85P04G
- 商品编号
- C5443665
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V；5.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.638nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |
商品特性
- 100V、120A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 5.4 mΩ
- 分裂栅沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关
- 整流器