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APG038N01G
1个N沟道 耐压:100V 电流:104A
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- 描述
- 特性：100V，RDS(ON) <3.8mΩ @VGS=10V（典型值：3.1mΩ），RDS(ON) <4.9mΩ @VGS=4.5V（典型值：4.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG038N01G
- 商品编号
- C5443671
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 100V、104A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 3.8 mΩ(典型值:3.1 mΩ)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 4.9 mΩ(典型值:4.2 mΩ)
- 分裂栅沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理