温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APG080N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:106A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：120V，106A，RDS(ON) <8.0mΩ @VGS = 10V（典型值：6.5mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG080N12
- 商品编号
- C5443657
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.711克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 106A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.77nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 352pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单