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APG035N04Q
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：40V，100A，RDS(ON) < 3.2mΩ @VGS = 10V (典型值:2.8mΩ)，RDS(ON) < 5.2mΩ @VGS = 4.5V (典型值:4.3mΩ)。 Split Gate Trench技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG035N04Q
- 商品编号
- C5443653
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 51.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，且栅极电荷较低。它可应用于多种场合。
商品特性
- 40V、100A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 3.2 mΩ(典型值:2.8 mΩ)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 5.2 mΩ(典型值:4.3 mΩ)
- 分裂栅沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理