温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP40N100LK
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100V，25A。 RDS(ON) < 25mΩ（典型值19.5mΩ），VGS = 10V。 RDS(ON) < 33mΩ（典型值27.5mΩ），VGS = 4.5V。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP40N100LK
- 商品编号
- C5443649
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.502克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100V、25A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:19.5 mΩ)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 33 mΩ(典型值:27.5 mΩ)
- 分裂栅沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理