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AP40N100LK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP40N100LK

1个N沟道 耐压:100V 电流:25A

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描述
特性:100V,25A。 RDS(ON) < 25mΩ(典型值19.5mΩ),VGS = 10V。 RDS(ON) < 33mΩ(典型值27.5mΩ),VGS = 4.5V。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP40N100LK
商品编号
C5443649
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.502克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)22.7nC@50V
输入电容(Ciss)822pF@50V
反向传输电容(Crss)23.5pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-无铅设计/符合RoHS标准-“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准

应用领域

  • 直流-直流转换器-电源管理功能

数据手册PDF