FW342-TL-E-VB

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

FW342-TL-E-VB

商品编号

C5441225

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.275克(g)