IRF7306TRPBF-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双通道功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-7.3A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7306TRPBF-VB
- 商品编号
- C5441226
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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