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IRFU430APBF-VB

1个N沟道耐压:650V 电流:4.5A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于高性能功率电子应用。TO251；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: IRFU430APBF-VB
商品编号: C5441231
商品封装: TO-251
包装方式: 管装
商品毛重: 2.067克(g)

商品参数

AGM409A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

-主板/显卡核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器