SFT1342-TL-E-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计。TO252;P—Channel沟道,-60V;-35A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SFT1342-TL-E-VB
- 商品编号
- C5441238
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
应用领域
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI2312BDS-T1-GE3-VB
- SI3440DV-T1-GE3-VB
- Si3585CDV-T1-GE3-VB
- SI4416DY-T1-E3-VB
- SI4420DY-T1-E3-VB
- SI4482DY-T1-E3-VB
- SI4483EDY-T1-E3-VB
- SI4559EY-T1-E3-VB
- SI4825DY-T1-E3-VB
- SI4890BDY-T1-E3-VB
- SI4947ADY-T1-E3-VB
- SI9933ADY-T1-E3-VB
- SI9945DY-NL-VB
- SI9955DY-T1-E3-VB
- SIA433EDJ-T1-GE3-VB
- SPP6506S26RGB-VB
- SQ4435EY-T1-GE3-VB
- STD30PF03LT4-VB
- SUD40N08-16-E3-VB
- AM3407PE-T1-PF-VB
- FSS210-TL-E-VB
