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SI4559EY-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 电流:4.9A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4559EY-T1-E3-VB商品编号
C5441246商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.269克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V；26mΩ@10V |
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