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DMT10H072LFDF-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H072LFDF-7
- 商品编号
- C5441266
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 228pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 89.3pF |
商品特性
- 20V、0.75A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 110 mΩ，典型值为90mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 150 mΩ，典型值为115mΩ
- 当VGS = 1.8V时，RDS(ON) < 165 mΩ，典型值为165mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 静电防护
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 逻辑电平转换
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