RQJ0303PGDQATL-E-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RQJ0303PGDQATL-E-VB商品编号
C5441260商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 1.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.295nF@15V | |
反向传输电容(Crss) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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