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DMN2075UDW-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A 停产
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2075UDW-7
- 商品编号
- C5441270
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 594.3pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.7pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- 便携式设备的电池开关
- 计算机
- 总线开关
- 负载开关
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