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CJQ60P05
1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ60P05
- 商品编号
- C5441040
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.563nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 120V，106A
- 栅源电压（VGS）为10V（典型值：6.5mΩ）时，导通电阻（RDS(ON)）小于5.0mΩ
- 分裂栅沟槽技术
- 采用无铅工艺
- 低导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
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