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DMN33D8LTQ-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:115mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：无刷直流电机控制
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LTQ-13
- 商品编号
- C5441039
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 100V、25A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 25 mΩ（典型值：19.5 mΩ）
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 33 mΩ（典型值：27.5 mΩ）
- 分裂栅沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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