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Si3585CDV-T1-GE3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- Si3585CDV-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5441241
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；55mΩ@10V；79mΩ@4.5V；30mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA；800mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@5V；3.6nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 负载开关
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