ISL9N306AS3ST-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:28.8A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适用于中高功率和中电流的应用场景。TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

ISL9N306AS3ST-VB

商品编号

C5441234

商品封装

TO-263(D2PAK)​

包装方式

管装

商品毛重

2.655克(g)