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IRF9389TRPBF-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9389TRPBF-VB商品编号
C5441229商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V；32mΩ@10V |
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