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IRF7751GTRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7751GTRPBF-VB

2个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应管，采用Trench技术，适合在紧凑空间内应用。TSSOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-5.2A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-32V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7751GTRPBF-VB
商品编号
C5441227
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V；55mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.14W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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