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AGM635E
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM635E
- 商品编号
- C5381823
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SL18N20 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 200V，漏极电流 (ID) = 18A
- 栅源电压 (VGS) = 10V 时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) < 150 mΩ（典型值：120 mΩ）
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)