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AGM4005LLM1
1个N沟道 耐压:40V 电流:330A
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- 描述
- AGM4005LLM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM4005LLM1
- 商品编号
- C5381837
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.92mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 365W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 630pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.596nF |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 优秀的Qg x RDS(ON)乘积（品质因数）
- 无铅、无卤
应用领域
- 电机控制与驱动
- LED背光