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TK17A80W,S4X
1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS，RDS(ON) = 0.25Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3.0至4.0V，VDS = 10V，ID = 0.85mA。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK17A80W,S4X
- 商品编号
- C5381071
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC - DC转换器
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.25Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 3.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.85 mA)
应用领域
- 开关稳压器