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JMSL0406AGDQ-13
40V、5.5mΩ双N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅引脚镀层。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMSL0406AGDQ-13
- 商品编号
- C5381844
- 商品封装
- PDFN5x6-8L-D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17518克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.227nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 输出电容(Coss) | 526pF |
商品概述
AGM6080D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器