温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM409D
1个N沟道 耐压:40V 电流:63A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM409D 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM409D
- 商品编号
- C5381839
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品特性
- 60V、70A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
相似推荐
其他推荐