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AGM628M
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6.8A
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- 描述
- AGM628M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM628M
- 商品编号
- C5381831
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A；5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；53mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V；25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 916pF；1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF；58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF；75pF |
商品概述
AGM612MN将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器