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AGM03N85H
1个N沟道 耐压:85V 电流:140A
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- 描述
- AGM03N85H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDo(sON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM03N85H
- 商品编号
- C5381833
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CPC5602是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用了IXYS集成电路部门专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺通过经济的硅栅工艺实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺生产出的器件可靠性高，尤其适用于电信、安防和电源等严苛应用环境。 CPC5602的主要应用之一是作为LITELINK系列数据接入装置（DAA）器件CPC5620A、CPC5621A和CPC5622A的线性稳压器/挂机开关。 CPC5602的典型导通电阻为8Ω，漏源电压为350V，采用SOT - 223封装。与所有MOS器件一样，该FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器