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AGM628MD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- AGM628MD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDo(s(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM628MD
- 商品编号
- C5381832
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；41mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W；35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V；25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF；856pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF；55pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器