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AGM612MN
2个N沟道 耐压:60V 电流:11A
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- 描述
- AGM612MN将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM612MN
- 商品编号
- C5381829
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- 超低导通电阻，RDS(ON)
- 低栅极电荷，Q_g
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（R_g）测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤素且符合RoHS标准
- 通过汽车应用AEC-Q101认证