温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM614D
1个N沟道 耐压:60V 电流:53A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AGM614D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM614D
- 商品编号
- C5381821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOP8封装普遍适用于所有商业-工业表面贴装应用，也适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器