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TPM3012PS8-2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM3012PS8-2

耐压:30V 电流:12A

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描述
特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM applications。 Load switch
商品型号
TPM3012PS8-2
商品编号
C5350824
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)25nC
输入电容(Ciss)1.2nF@15V
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AGM30P16AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON)),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • 主板/显卡核心电压
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF