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FDS6930B-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6930B-TP

2个N沟道 耐压:30V 电流:7A

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描述
特性:RDS(ON)≤35 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤45 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
商品型号
FDS6930B-TP
商品编号
C5350842
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,5.8A
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)11.5nC@10V
输入电容(Ciss)350pF@15V
反向传输电容(Crss)16pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 16mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 20mΩ
  • 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备
  • 电池供电系统
  • DC/DC转换器
  • 负载开关
  • 数码相机
  • LCD显示器逆变器

数据手册PDF