我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
TPM3090NK3-3实物图
  • TPM3090NK3-3商品缩略图
  • TPM3090NK3-3商品缩略图
  • TPM3090NK3-3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM3090NK3-3

N沟道增强型功率MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM3090NK3-3
商品编号
C5350852
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.83克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.88mΩ@10V
耗散功率(Pd)181W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)103nC@10V
输入电容(Ciss)5.672nF
反向传输电容(Crss)352pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)392pF

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 15A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 16mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关

数据手册PDF