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FDS8984
2个N沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)≤35 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤45 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDS8984
- 商品编号
- C5350838
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |