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IRF8313TRPBF-TP
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.3A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRF8313TRPBF-TP
- 商品编号
- C5350833
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 841pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 22 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 77.5 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器