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TPM30NB10S8-3
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 16 mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 20 mΩ @ VGS = 4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30NB10S8-3
- 商品编号
- C5350837
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 841pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V、90A
- RDS(ON) 3.88mΩ@VGS=10V（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 符合无铅产品要求
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理