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TPM3012PS8-6

TPM3012PS8-6

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商品型号
TPM3012PS8-6
商品编号
C5350828
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))14mΩ
属性参数值
耗散功率(Pd)3W
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

XP161A1265PR-G是一款N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于能够实现高速开关,因此可以高效地设置该IC,从而节省能源。 内置栅极保护二极管,可防止静电损坏。 小型SOT - 89封装可实现高密度安装。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -12A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON)(典型值)为9.5 mΩ
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON)(典型值)为14 mΩ

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF