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TPSI4202DY-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSI4202DY-T1-GE3

2个N沟道 耐压:30V 电流:8.3A

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描述
特性:RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
商品型号
TPSI4202DY-T1-GE3
商品编号
C5350831
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.3A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)9.5nC
输入电容(Ciss)841pF
反向传输电容(Crss)71pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 16mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 20mΩ
  • 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备
  • 电池供电系统
  • DC/DC转换器
  • 负载开关
  • 数码相机(DSC)
  • LCD显示器逆变器

数据手册PDF