温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7450DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7450DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5334367
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 采用低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
- 针对快速开关进行PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 高密度DC/DC初级侧开关
- 电信/服务器48 V DC/DC
- 工业和42 V汽车应用